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1800
1500
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 15A
1200
900
600
300
0
Cies
Coes
Cres
100
10
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Ton
Tr
1
10
1
10
100
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 15A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Toff
Toff
Tf
1000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 15A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Eoff
Eon
Eoff
Tf
100
100
1
10
100
1
10
100
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Gate Resistance
1000
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 13 ?
T C = 25 ℃ ━━
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 13 ?
T C = 25 ℃ ━━
100
T C = 125 ℃ ------
Ton
Tr
T C = 125 ℃ ------
Toff
Tf
Toff
100
Tf
10
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
Collector Current, I C [A]
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Collector Current, I C [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
SGH15N60RUFD Rev. A1
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